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Intel 10nm HPM/GP工艺的ARM架构SoC年底流片

admin_jqrgl2017-11-03阅读(232754)评论(0)

标签: 电子  

近日消息,据外媒报道,尽管在一些领域已经有明显竞争的IntelARM宣布将建立广泛的合作关系。

其中一个表现形式就是,基于ARM IP的很多芯片将采用Intel22nm FFL10nm HPM/GP工艺代工。

比如,ARM今年年中发布的Cortex-A55,已经基于Intel22nm FFL,实验在了智能手机上实现主频2.35GHz(0.45V电压)

更令人激动的是,基于Intel 10nm HPM/GP工艺的ARM架构SoC将不迟于今年底流片。它基于的是下一代Cortex-A(A75或者更高?),实现了3.5GHz主频、0.5V电压,而单核最高功耗只有不到0.9(骁龙820单个Kyro大核约2)

目前,Intel14nm已经用在展讯的x86移动芯片上,但x86制约了展讯在广泛的消费级市场大展拳脚。同时,为了进一步增加营收,Intel才在北京的“精尖制造日”上强调,代工一定会放开。

资料显示,同样是10nmIntel表示每平方毫米可以放1亿个晶园体,台积电呢只有4800万,而三星也不过才5160万,按照Intel的说法,同概念制程领先对手3年。

至于Intel 10nm工艺的ARM芯片会是谁,目前唯一有消息流出的就是LG

来源:mydrivers

 

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